类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

  • 所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

质量

晶体管元件材料

制造商包装标识符

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

终端

ECCN 代码

电阻

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 额定直流

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

基本部件号

引脚数量

参考标准

JESD-30代码

资历状况

输入电压-Nom

配置

通道数量

模拟 IC - 其他类型

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

功率 - 最大

场效应管类型

晶体管应用

输入电压(最大)

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

无卤素

控制技术

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

供应电流-最大值(Isup)

漏源电压 (Vdss)

极性/通道类型

下降时间(典型值)

切换器配置

连续放电电流(ID)

阈值电压

栅极至源极电压(Vgs)

最大双电源电压

开关频率-最大值

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

双电源电压

输入电容

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级(Eas)

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

恢复时间

场效应管特性

漏源电阻

最大rds

栅源电压

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

EFC4618R-P-TR
EFC4618R-P-TR
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

4-XBGA, 4-FCBGA

4

1.84 μs

150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2015

e1

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

EAR99

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

1.6W

4

Dual

200 ns

2 N-Channel (Dual) Common Drain

25.4nC @ 4.5V

815ns

1.77 μs

12V

Logic Level Gate, 2.5V Drive

无

符合RoHS标准

无铅

DMC3028LSDX-13
DMC3028LSDX-13
Diodes Incorporated 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

23 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

73.992255mg

SILICON

5.5A 5.8A

2

60.5 ns

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2015

e3

活跃

1 (Unlimited)

8

EAR99

Matte Tin (Sn)

HIGH RELIABILITY

1.2W

DUAL

鸥翼

260

30

AEC-Q101

2

增强型MOSFET

9.7 ns

N and P-Channel

SWITCHING

27m Ω @ 6A, 10V

3V @ 250μA

641pF @ 15V

13.2nC @ 10V

17.1ns

30V

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

40.4 ns

5.8A

20V

5.5A

30V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

逻辑电平门

1.5mm

4.95mm

3.95mm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

HAT2038R-EL-E
HAT2038R-EL-E
Renesas Electronics America 数据表

133 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

SILICON

2

110 ns

150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2005

yes

活跃

1 (Unlimited)

8

EAR99

60V

2W

鸥翼

260

5A

20

8

增强型MOSFET

3W

11 ns

2 N-Channel (Dual)

SWITCHING

58m Ω @ 3A, 10V

2.2V @ 1mA

520pF @ 10V

40ns

80 ns

5A

20V

5A

40A

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

逻辑电平门

无

ROHS3 Compliant

无铅

DMP56D0UV-7
DMP56D0UV-7
Diodes Incorporated 数据表

6000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

表面贴装

表面贴装

SOT-563, SOT-666

6

3.005049mg

SILICON

2

21.9 ns

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2013

e3

活跃

1 (Unlimited)

6

EAR99

Matte Tin (Sn)

HIGH RELIABILITY

400mW

FLAT

260

30

AEC-Q101

Dual

增强型MOSFET

400mW

4.46 ns

2 P-Channel (Dual)

SWITCHING

6 Ω @ 100mA, 4V

1.2V @ 250μA

50.54pF @ 25V

0.58nC @ 4V

6.63ns

50V

15 ns

160mA

8V

6Ohm

-50V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

逻辑电平门

600μm

1.7mm

1.25mm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

NVMFD5C674NLT1G
NVMFD5C674NLT1G
ON Semiconductor 数据表

1500 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

48 Weeks

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

表面贴装

8-PowerTDFN

YES

SILICON

11A Ta 42A Tc

2

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

2013

Automotive, AEC-Q101

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

6

Tin (Sn)

FLAT

未说明

not_compliant

未说明

R-PDSO-F6

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

3W Ta 37W Tc

2 N-Channel (Dual)

14.4m Ω @ 10A, 10V

2.2V @ 25μA

640pF @ 25V

4.7nC @ 4.5V

60V

0.0204Ohm

119A

60V

61 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Standard

ROHS3 Compliant

EFC6602R-TR
EFC6602R-TR
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

6 Weeks

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)

表面贴装

6-XFBGA, FCBGA

6

2

150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2013

yes

活跃

1 (Unlimited)

EAR99

2W

6

Dual

2W

2 N-Channel (Dual)

无卤素

55nC @ 4.5V

12V

Logic Level Gate, 2.5V Drive

ROHS3 Compliant

无铅

DMN4031SSD-13
DMN4031SSD-13
Diodes Incorporated 数据表

360000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

15 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

73.992255mg

SILICON

2

19.8 ns

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2012

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

8

EAR99

31mOhm

Matte Tin (Sn)

HIGH RELIABILITY

1.42W

鸥翼

260

40

DMN4031

8

Dual

增强型MOSFET

2.6W

6.4 ns

2 N-Channel (Dual)

SWITCHING

31m Ω @ 6A, 10V

3V @ 250μA

945pF @ 20V

18.6nC @ 10V

9.7ns

40V

3.1 ns

5.2A

20V

7A

40V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

逻辑电平门

1.5mm

4.95mm

3.95mm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

DMTH6010LPD-13
DMTH6010LPD-13
Diodes Incorporated 数据表

3000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

23 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-PowerTDFN

8

13.1A Ta 47.6A Tc

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

2016

Automotive, AEC-Q101

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

EAR99

Matte Tin (Sn)

2.8W

未说明

未说明

2 N-Channel (Dual)

11m Ω @ 20A, 10V

3V @ 250μA

2615pF @ 30V

40.2nC @ 10V

60V

47.6A

Standard

ROHS3 Compliant

CSD87334Q3DT
CSD87334Q3DT
Texas Instruments 数据表

150 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Gold

表面贴装

表面贴装

8-PowerTDFN

8

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

NexFET™

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

8

Matte Tin (Sn)

6W

无铅

260

1

0.65mm

not_compliant

未说明

CSD87334

12V

开关控制器

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

24V

6m Ω @ 12A, 8V

1.2V @ 250μA

脉宽调制

1260pF @ 15V

8.3nC @ 4.5V

20mA

30V

BUCK

1500kHz

Standard

1.05mm

3.3mm

3.3mm

900μm

ROHS3 Compliant

含铅

DMC2004VK-7
DMC2004VK-7
Diodes Incorporated 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

19 Weeks

表面贴装

表面贴装

SOT-563, SOT-666

6

3.005049mg

SILICON

670mA 530mA

2

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2011

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

6

EAR99

900mOhm

Matte Tin (Sn)

HIGH RELIABILITY

400mW

DUAL

FLAT

260

40

DMC2004VK

6

2

增强型MOSFET

1W

450mW

N and P-Channel

SWITCHING

550m Ω @ 540mA, 4.5V

1V @ 250μA

150pF @ 16V

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

670mA

8V

20V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

逻辑电平门

600μm

1.6mm

1.2mm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

SH8M24TB1
SH8M24TB1
ROHM Semiconductor 数据表

2500 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

52 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

4.5A 3.5A

150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2009

不用于新设计

1 (Unlimited)

2W

*M24

2W

N and P-Channel

46m Ω @ 4.5A, 10V

2.5V @ 1mA

550pF @ 10V

9.6nC @ 5V

3.5A

45V

Standard

ROHS3 Compliant

FDMA1024NZ
FDMA1024NZ
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Gold

表面贴装

表面贴装

6-VDFN Exposed Pad

6

40mg

SILICON

2

18 ns

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2007

PowerTrench®

e4

yes

活跃

1 (Unlimited)

6

EAR99

54MOhm

700mW

无铅

未说明

未说明

不合格

Dual

增强型MOSFET

1.4W

DRAIN

5.3 ns

2 N-Channel (Dual)

SWITCHING

54m Ω @ 5A, 4.5V

1V @ 250μA

500pF @ 10V

7.3nC @ 4.5V

2.2ns

20V

2.2 ns

5A

700mV

8V

5A

20V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

逻辑电平门

700 mV

750μm

2mm

2mm

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

NX3008NBKV,115
NX3008NBKV,115
Nexperia USA Inc. 数据表

90000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

表面贴装

SOT-563, SOT-666

YES

SILICON

400mA

2

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2011

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

e3

活跃

1 (Unlimited)

6

Tin (Sn)

FLAT

6

AEC-Q101; IEC-60134

R-PDSO-F6

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

500mW

2 N-Channel (Dual)

SWITCHING

1.4 Ω @ 350mA, 4.5V

1.1V @ 250μA

50pF @ 15V

0.68nC @ 4.5V

30V

0.4A

30V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0.39W

逻辑电平门

ROHS3 Compliant

STL8DN6LF6AG
STL8DN6LF6AG
STMicroelectronics 数据表

5000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

20 Weeks

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

表面贴装

表面贴装

8-PowerVDFN

8

32A Tc

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

Automotive, AEC-Q101, STripFET™

活跃

1 (Unlimited)

EAR99

55W

未说明

未说明

STL8

2 N-Channel (Dual)

27m Ω @ 9.6A, 10V

2.5V @ 250μA

60V

32A

1.34nF

ROHS3 Compliant

DMN2028UFU-7
DMN2028UFU-7
Diodes Incorporated 数据表

18000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

表面贴装

表面贴装

6-UFDFN Exposed Pad

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2015

活跃

1 (Unlimited)

EAR99

900mW

未说明

未说明

900mW

2 N-Channel (Dual) Common Drain

20.2m Ω @ 4.5A, 4.5V

1V @ 250μA

887pF @ 10V

18.4nC @ 8V

20V

7.5A

Standard

ROHS3 Compliant

IRF7905PBF
IRF7905PBF
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

8-SO

7.8A 8.9A

2

8.1 ns

-55°C~150°C TJ

Tube

2004

HEXFET®

Obsolete

1 (Unlimited)

21.8MOhm

150°C

-55°C

30V

2W

7.8A

IRF7905PBF

Dual

2W

2W

2 N-Channel (Dual)

21.8mOhm @ 7.8A, 10V

2.25V @ 25μA

600pF @ 15V

6.9nC @ 4.5V

9.3ns

30V

3.4 ns

8.9A

1.8V

20V

30V

600pF

15 ns

逻辑电平门

21.3mOhm

21.8 mΩ

1.8 V

1.4986mm

4.9784mm

3.9878mm

无

无SVHC

符合RoHS标准

无铅

DMN2008LFU-7
DMN2008LFU-7
Diodes Incorporated 数据表

2482 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

17 Weeks

表面贴装

表面贴装

6-UFDFN Exposed Pad

SILICON

2

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2013

e4

活跃

1 (Unlimited)

6

EAR99

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

1W

无铅

未说明

未说明

R-PDSO-N6

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

1W

2 N-Channel (Dual) Common Drain

SWITCHING

5.4m Ω @ 5.5A, 4.5V

1.5V @ 250A

1418pF @ 10V

42.3nC @ 10V

20V

14.5A

0.0096Ohm

20V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Standard

ROHS3 Compliant

ZXMN3A06DN8TA
ZXMN3A06DN8TA
Diodes Incorporated 数据表

100 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

17 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

73.992255mg

SILICON

4.9A

2

21.6 ns

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2006

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

8

SMD/SMT

EAR99

35mOhm

Matte Tin (Sn)

30V

2.1W

鸥翼

260

4.8A

40

8

2

Dual

增强型MOSFET

2.1W

3 ns

1.8W

2 N-Channel (Dual)

SWITCHING

35m Ω @ 9A, 10V

1V @ 250μA (Min)

796pF @ 25V

17.5nC @ 10V

6.4ns

9.4 ns

6.2A

1V

20V

4.9A

30V

30V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

逻辑电平门

1 V

1.5mm

5mm

4mm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

IPG20N06S2L50AATMA1
IPG20N06S2L50AATMA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

表面贴装

Surface Mount, Wettable Flank

8-PowerVDFN

8

PG-TDSON-8-10

20A

15 ns

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

1997

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

活跃

1 (Unlimited)

175°C

-55°C

51W

Dual

51W

2 N-Channel (Dual)

50mOhm @ 15A, 10V

2V @ 19μA

无卤素

560pF @ 25V

17nC @ 10V

3ns

55V

10 ns

20A

20V

55V

55V

560pF

逻辑电平门

50mOhm

50 mΩ

ROHS3 Compliant

含铅

NTLGD3502NT2G
NTLGD3502NT2G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

LIFETIME (Last Updated: 1 day ago)

表面贴装

6-VDFN Exposed Pad

YES

6

SILICON

4.3A 3.6A

2

8.6 ns

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2007

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

6

60MOhm

Tin (Sn)

8541.29.00.95

1.74W

260

40

NTLGD3502N

6

Dual

增强型MOSFET

1.74W

DRAIN

7 ns

2 N-Channel (Dual)

60m Ω @ 4.3A, 4.5V

2V @ 250μA

480pF @ 10V

4nC @ 4.5V

17.5ns

17.5 ns

5.8A

20V

4.3A

20V

17.2A

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

逻辑电平门

无

ROHS3 Compliant

无铅

DMTH6016LSD-13
DMTH6016LSD-13
Diodes Incorporated 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

20 Weeks

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

7.6A Ta

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

Automotive, AEC-Q101

e3

活跃

EAR99

Matte Tin (Sn)

未说明

未说明

2 N-Channel (Dual)

19.5m Ω @ 10A, 10V

2.5V @ 250μA

864pF @ 30V

17nC @ 10V

Standard

ROHS3 Compliant

NTUD3174NZT5G
NTUD3174NZT5G
ON Semiconductor 数据表

3440 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

SOT-963

220mA Ta

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2011

活跃

1 (Unlimited)

125mW Ta

2 N-Channel (Dual)

1.5 Ω @ 100mA, 4.5V

1V @ 100μA

12.5pF @ 15V

20V

Standard

ROHS3 Compliant

SH8M41TB1
SH8M41TB1
ROHM Semiconductor 数据表

10000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

3.4A 2.6A

150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2010

不用于新设计

1 (Unlimited)

2W

*M41

2W

N and P-Channel

130m Ω @ 3.4A, 10V

2.5V @ 1mA

600pF @ 10V

9.2nC @ 5V

2.6A

80V

逻辑电平门

ROHS3 Compliant

VT6M1T2CR
VT6M1T2CR
ROHM Semiconductor 数据表

32000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

表面贴装

表面贴装

6-SMD, Flat Leads

SILICON

2

150°C TJ

Cut Tape (CT)

1997

e1

活跃

1 (Unlimited)

6

EAR99

锡银铜

120mW

DUAL

260

10

6

R-PDSO-F6

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

增强型MOSFET

120mW

N and P-Channel

SWITCHING

3.5 Ω @ 100mA, 4.5V

1V @ 100μA

7.1pF @ 10V

20V

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

100mA

0.1A

4.2Ohm

20V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Logic Level Gate, 1.2V Drive

ROHS3 Compliant

无铅

FF11MR12W1M1B11BOMA1
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies 数据表

10000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

AG-EASY1BM-2

2

64.3 ns

-40°C~150°C TJ

Tray

2008

CoolSiC™+

活跃

不适用

18

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

R-XUFM-X18

2

增强型MOSFET

20mW

ISOLATED

25.1 ns

2 N-Channel (Dual)

SWITCHING

11m Ω @ 100A, 15V

5.55V @ 40mA

7950pF @ 800V

250nC @ 15V

1200V 1.2kV

100A

20V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Silicon Carbide (SiC)

12.35mm

ROHS3 Compliant